施主在直接带隙-間接带隙III-V族多元材料中的凝入行为与规律研究
基本信息
批准号：60676026
项目类别：面上项目
资助金额：30.00
负责人：李爱珍
学科分类：
依托单位：华东师范大学
批准年份：2006
结题年份：2009
起止时间：2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：郑燕兰,李华,蒋守顺,雷玮
关键词：
MBE能带结构IIIV族异质结构施主掺杂
结项摘要
杂质工程和能带工程是半导体科学的两大基石，它推动了半导体科学技术领域的发展。在上世纪90年代中之前,人们集中研究晶格匹配的杂质工程和能带工程，虽然90年代后期应变异质结构的引入及其对提高异质结构器件性能，对开拓和创造人工新材料、新结构的重要性己越来越被人们认识，但人们对晶格失配体系的杂质工程和能带工程及其相互作用鲜见研究。为此，本申请课题从理論和实騐研究和揭示直接带隙-间接带隙III-V族多元系砷
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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