CVD金刚石薄膜半导体器件组织演变的热力学和动力学

优化计算了一系列金刚石半导体材料体系的相图，包括Au-Zr，Au-Ti，Au-C，Au-Ti-C，Au-Zr-C，Au-Ti-Zr等体系，并建立了相应的相图和热力学数据库。采用扩散偶方法，并结合计算工作，研究了C在Au-Ti及Au-Zr二元合金中的扩散通道。以上这些工作为对Au-Ti-Zr-C系统的金刚石半导体材料的制备和使用过程中各组成变化，中间相形成和消长，界面迁移等组织结构的演变进行了模拟和预测；为开发性能稳定可靠的半导体器件和选择合理的工艺条件提供了重要的理论依据。