亚微米级高速并行激光直写方法及工艺研究

基本信息
批准号:50275145
项目类别:面上项目
资助金额:23.00
负责人:颜树华
学科分类:
依托单位:中国人民解放军国防科技大学
批准年份:2002
结题年份:2005
起止时间:2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:陈志华,杨正新,涂阳虎,陈智锋,林哲辉,张正红
关键词:
二元光学器件并行激光直写空间光调制器
结项摘要

研究基于电寻址强度型空间光调制器、利用并行激光直写微光学器件的新方法。控讨高质量灰阶图像的获取、高精缩倍率投影系统的设计、高速并行激光直写工艺、刻蚀深度和轮廓变形的精确控制等问题。以实现高性能、最小特征尺寸为亚微米级的超精细复杂结构器件的低成本、短周期生产以及激光直写设备的廉价化,对二元光学技术的推广应用具有重要意义。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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