光学邻近效应研究

本项目深入研究了光学邻近效应（简称OPE）产生的物理机理，建立了描述光刻过程的快速仿真模型，编制了光刻掩膜成像及曝光显影全过程的模拟计算软件，基于波煎加工思想，采用逆设计预补偿优化掩模方法。提出了亮暗衬线和辅助线条相结合、灰阶掩膜、灰阶编码掩模等几种新的OPE精细校正方法。在Ⅰ线投影曝光装置上，在国内首次进行了OPE校正曝光实验，在可加工0.7～0.8μm的投影光刻设备上制作出半μm光刻图形。深入研究了激光直写过程中的邻近效应产生的机理，提出使用直写数据预补偿校正OPE的方法，在μm级激光直写系统上，通过校正获得0.6μm线条。上述成果对发展新兴的波前工程学，及发展亚μm和深亚μm微细加工技术有重要意义。