具有奇异磁电阻效应的硒化银系列材料的研制及其机理研究

基本信息
批准号:50872038
项目类别:面上项目
资助金额:40.00
负责人:张端明
学科分类:
依托单位:华中科技大学
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:杨凤霞,钟志成,徐洁,房然然,孙敏,黄明涛,邓宗伟,李丽娟,李舒丹
关键词:
硒化银碲化银超强磁场线性正磁电阻效应
结项摘要

研制在超宽温区(包括低温和常温)和磁场范围(包括超强磁场)具有线性正磁电阻效应硒化银和碲化银系列材料,探索具有性能稳定的奇异磁电阻效应的材料的优化制备工艺和关键技术因素,进而探索制备硒化银系列薄膜材料,为制备超强磁场(50特斯拉左右)测试仪奠定实验基础;利用先进的实验分析手段,表征材料的物理特性和微观结构,并探求两者的关联;融合结构的不均匀性和过量银离子含量两种可能导致材料线性磁电阻效应的因素,建立综合的二元统一机理模型,揭示过量银含量与奇异磁电阻效应的关联。本课题属于开发超强磁场下具有良好线性正磁电阻效应的材料,启动我国超强磁场科学技术研究的前驱性探索工作。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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