纳米磁电子器件无掩模法制备中的材料科学问题

基本信息
批准号:50671048
项目类别:面上项目
资助金额:23.00
负责人:王寅岗
学科分类:
依托单位:南京航空航天大学
批准年份:2006
结题年份:2009
起止时间:2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李子全,陈健康,陈可,周衡志,杨继年,陈坚,曾光
关键词:
磁电性能纳米磁电子器件无掩模离子辐照磁性薄膜/多层膜
结项摘要

通过离子辐照对磁性薄膜/多层膜的显微组织结构、界面结构的影响研究,低剂量离子辐照引起的化学元素再分布研究,离子辐照对磁性、磁性交换耦合性能、磁化反转过程、磁电阻性能及热磁稳定性的影响研究,离子辐照工艺对材料微结构和性能的影响规律研究,构建与完善可合理解释离子辐照引起的磁性能与磁电阻性能变化的层间耦合和铁磁-反铁磁界面耦合模型,探讨离子辐照过程中磁性薄膜/多层膜的微结构改变对性能影响的机制。并制备几种简单形状的器件,研究应用聚焦离子束技术进行纳米磁电子器件的无掩模法制备过程中离子束尾对器件边缘微结构和器件的磁化反转过程与热磁稳定性的影响。本项目的研究将会弄清应用聚焦离子束技术制备纳米磁电子器件中的一些材料科学问题,为纳米磁电子器件的无掩模法制备提供理论指导。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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