半导体纳米粒子SERS基底活性的机理研究

控制制备几种特殊的半导体纳米晶材料，将其构造为具有简单结构的一维或二维阵列结构并作为表面增强拉曼活性基底。在此基底上吸附各种常见的SERS分子，通过表面增强拉曼光谱的研究，探讨半导体纳米材料种类、尺寸、形状及纳米粒子之间相互作用等对其增强能力的影响，研究粒子结构及外界媒介对其SERS的影响。探索半导体纳米材料对红外、荧光光谱的可能增强能力及与基底自身性质之间的关系。.由于半导体纳米材料本身对可见区的表面等离子几乎没有贡献，目前的理论认为化学增强的贡献小于100倍。必须通过实验研究选择合适的材料以获取SERS增强与材料特性的关系，探索适用于半导体纳米材料的SERS增强机理。调控半导体纳米材料的带隙结构、表面缺陷态、表面电子态并研究这些因素与SERS增强机理的关系，促进对增强机理的深入研究并制备参数可控的SERS基底。