宽带隙半导体薄膜欧姆接触特性和机理研究
基本信息
批准号：69676005
项目类别：面上项目
资助金额：10.00
负责人：王印月
学科分类：
依托单位：兰州大学
批准年份：1996
结题年份：1999
起止时间：1997-01-01 - 1999-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：郭永平,杨映虎,吴现成,邵乐喜,王吉政,岳金顺,孙燕杰
关键词：
欧姆接触界面物理宽带隙半导体薄膜
结项摘要
金刚石膜（DF）等宽带隙半导体材料具有优良的物理化学性质，在高科技领域具有广阔的应用前景，从此类材料的器件来说，欧姆接触是非解决不可的问题，而且稳定的欧姆接触是这类材料潜在的高温和大功率应用得以实现的关键。我们经过对电极材料的选择，对抗氧化保护工艺、宽带隙材料掺杂和表面处理工艺、TLM及CTLM测试线路的设计与技术、接触界面等一系列问题的研究，探索了对DF改善欧姆接触的方法，实现了Au/Ti/P-DF的欧姆接触，获得了ρc～1.236×10（-6）Ω·cm（2）（CTLM法）和ρc～10（-4）Ω·cm（2）（TLM法）的结果，按期完成并超过了该课题ρc～10（-4）Ω·cm（2）的指标，所得结果是国内未见报导过的。参加过两次国内会议和一次国际会议，培养了多名研究生。
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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