外场诱导反应性热CVD生长Si1-x-yGexCy合金膜及光电特性研究
基本信息
批准号：69876017
项目类别：面上项目
资助金额：14.80
负责人：王印月
学科分类：
依托单位：兰州大学
批准年份：1998
结题年份：2001
起止时间：1999-01-01 - 2001-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：郭永平,杨映虎,粱晓鹏,吴现成,刘秀英,龚恒祥,甄聪棉
关键词：
反应性热CVDSi1xyGexCy合金光电特性
结项摘要
Si1-x-y三元合金是一种新型半导体材料,在微电子和光电子器件方面都具有广阔的应用前景.利用外场反应性热CVD法在Si基上外延生长Si1-x-yGexCy合金薄膜,研究合金中C组分的含亢头植级院辖鹉そ峁购凸獾缣匦缘挠跋?对Si1-x-yGexCy/Si异质结界面和能带结构的影响,优化工艺条件,生长出失配度小且能带偏较大的优质合金膜,并探索生长机理.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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