用于高能射线探测的碲锌镉材料的杂质缺陷研究

基本信息
批准号:69976033
项目类别:面上项目
资助金额:12.00
负责人:李标
学科分类:
依托单位:中国科学院上海技术物理研究所
批准年份:1999
结题年份:2002
起止时间:2000-01-01 - 2002-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:叶红娟,张小平,孟祥健,程建功
关键词:
杂质缺陷碲锌镉高能射线探测器
结项摘要

CdZnTe crystal has great applications in x and g-ray detectors, solar cell, modulator et al.. It is meaningful to study the impurities and defects in the material to enhance the performance of g-ray detector. We studies the impurities of CdZnTe wafer using micro-photoluminescence.

II-VI族半导体的一个最新国际发展动向就是用碲锌镉材料制备高能射线探测器,这种探测鞯男阅苡氩牧现械脑又嗜毕菝芮邢喙亍1究翁饽獠捎霉獾绮饬坎⒔岷险缱愉蚊患际酰芯宽谛匡又性又嗜毕莸睦嘈汀⒛芗都昂浚治銎涠圆牧掀骷阅艿挠跋臁8孟钛芯考瓤晌票疙谛匡犹讲馄鞯牟牧咸峁┢琅斜曜迹挚晌徊教岣咛讲庑阅苷业酵黄瓶凇

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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