位置灵敏的像素碲锌镉半导体探测器的研制
基本信息
批准号：10575064
项目类别：面上项目
资助金额：20.00
负责人：李元景
学科分类：
依托单位：清华大学
批准年份：2005
结题年份：2007
起止时间：2006-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张岚,邓智,李树伟,毛绍基
关键词：
碲锌镉(CdZnTe)单极性敏感像素(pixel)成像位置灵敏
结项摘要
室温下可操作的具有高的探测效率，高的能量分辩率，便于携带的重量轻，体积小的化合物半导体探测器碲锌镉(CdZnTe)的研究始于二三十年前，并在上个世纪末达到高峰。它不仅可用于国防和环境安全等传统的核辐射探测领域，而且在商业,医学成像及空间物理等方面有着更广泛的应用，长远的发展前景和巨大的经济潜力。在中国，这个领域的研究工作刚刚起步。我们的研究是针对像素(pixel)结构的CdZnTe，利用小像素效应
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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