GaN兰光材料的反应离化团簇束制备及离子注入研究

用反应离化团簇束沉积法外延生长GaN晶体膜，用多种离子注入进行n型和p型掺杂，选择合适的掺杂剂，经快速热退火制成p-n结，试剂兰色发光二极管，研究薄膜组分、组织、半导体电性和发光特性与离子束合成和掺杂工艺参数的关系。选择最优化技术条件，探索采用全离子束技术制备GaN兰色发光的激光器件的可能性，深入研究与这相关的物理机制和规律问题。