富勒烯的磁控溅射制备和离子注入效应的动态研究

研制了一套中空阴极磁控溅射装置用于制备富勒烯。从理论上和实验上研究了装置参数对薄膜沉积速率和厚度均匀性的影响。石墨溅射未获得预期的富勒烯。用簇团离子束沉积法制备了品质良好的C60多晶膜，系统研究了成膜条件对样品成份和结构的影响。用多种离子轰击证实了C60在低能低剂量离子注入过程中的稳定性。用原位测量电阻方法动态研究了P（+）注入对C60导电性的改变。研制了P（+）注入n-C60/Si异质结二极管，对其整流特性和光电响应特性的实验结果从理论上进行了解释。在研制富勒烯的电孤发生器和中空阴极磁控溅射装置中改用N2作工作气体制备成功β-C3N4，探索出一条新的技术路线。系统研究了β-C3N4的成份、结构以及物理和化学性质。开展了工业应用试验。