磷化镓为p型层的高亮度GaN基LED外延片结构设计与生长

本项目从试验和理论研究GaP为p型层的GaN基发光二极管（LED）外延片结构设计与MOCVD生长。研究内容包括：（1）大失配GaN上生长高质量GaP单晶薄膜的机理研究；（2）GaN上生长高空穴浓度的p型GaP薄膜研究；（3）GaP为p型层的GaN基LED外延片结构设计和生长。.目前，GaN基LED外延片均以GaN:Mg层为p型层主体。由于GaN 本身的特性，导致p型GaN空穴浓度低，LED外延片p型层薄，严重影响LED的发光效率和寿命。本项目首次提出以GaP为p型层生长全新结构的GaN基LED外延片设想，利用p型GaP空穴浓度高等特点，优化LED外延片结构，可明显提高GaN基LED外延片性能，并获得核心专利。项目首次对大失配GaN上生长GaP的生长机理、缺陷的引入、应力的影响与控制进行深入研究，可为新型光电器件和材料研究奠定基础。