新型单晶纳米硅薄膜及其场发射效应研究
基本信息
批准号：10374027
项目类别：面上项目
资助金额：8.00
负责人：朱自强
学科分类：
依托单位：华东师范大学
批准年份：2003
结题年份：2004
起止时间：2004-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：郁可,王伟明,朱建中,李琼,邵丽,陈少强
关键词：
阳极腐蚀场发射单晶纳米硅薄膜
结项摘要
纳米硅颗粒具有高量子效率和热稳定性，在电子、光学、生物等领域有着广阔的应用前景。本研究在国际上首次用电化学阳极腐蚀方法直接在硅片上制备了粒径形状可控，均匀、厚度可调的大面积单晶纳米硅薄膜并成功地观察到硅纳米薄膜材料场发射效应。其开启电场与碳纳米管相当，在真空微电子领域具有潜在的应用前景。本项目将进一步深入研究这种纳米结构材料的形成机理、物理特性及其具有优良场发射性能的原因，充分显示其作为场发射阴极
项目摘要
项目成果
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暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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