该项目利用射频反应溅射法制备出了高质量的Cd2SnO4和CdIn2O4薄膜材料.氧浓度为6%时,衬底温度400℃下制备的Cd2SnO4薄膜的最大光透射率为95%,电阻率1.74×10(-6)n-m.氧浓度为10%,衬底温度425℃时沉积的CdIn2O4薄膜的最大光透射率为90%,电阻率5.12×10(-6)n-m.对这两种薄膜材料的晶体及电子结构,生长条件,缺陷态等及光学和电学性质进行了系统的研究,研究表明,氧空位对其光电性质起了决定性的作用,因此严格控制薄膜中的氧空位浓度是提高质量的一个重要途径.Cd2SnO4和CdIn2O4薄膜是一种宽带隙高简并化氧化物n型半导体薄膜材料.由于它具有优异光学和电学性质,广泛应用于光电子器件及透明电极,热镜和航天器的热控涂层.因此对它的研究有重要的科学意义和实际应用价值.
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数据更新时间:2023-05-31
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