Cd2SnO4和CdIn2O4薄膜形成机理及其性能研究
基本信息
批准号：69076409
项目类别：面上项目
资助金额：4.30
负责人：王万录
学科分类：
依托单位：兰州大学
批准年份：1990
结题年份：1993
起止时间：1991-01-01 - 1993-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：蒋生蕊,李莉,高锦英,李成贤,查立群
关键词：
形成机理光学性质薄膜半导体
结项摘要
该项目利用射频反应溅射法制备出了高质量的Cd2SnO4和CdIn2O4薄膜材料.氧浓度为6%时,衬底温度400℃下制备的Cd2SnO4薄膜的最大光透射率为95%,电阻率1.74×10(-6)n-m.氧浓度为10%,衬底温度425℃时沉积的CdIn2O4薄膜的最大光透射率为90%,电阻率5.12×10(-6)n-m.对这两种薄膜材料的晶体及电子结构,生长条件,缺陷态等及光学和电学性质进行了系统的研究,研究表明,氧空位对其光电性质起了决定性的作用,因此严格控制薄膜中的氧空位浓度是提高质量的一个重要途径.Cd2SnO4和CdIn2O4薄膜是一种宽带隙高简并化氧化物n型半导体薄膜材料.由于它具有优异光学和电学性质,广泛应用于光电子器件及透明电极,热镜和航天器的热控涂层.因此对它的研究有重要的科学意义和实际应用价值.
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
其他相关文献
1
EBPR工艺运行效果的主要影响因素及研究现状
EBPR工艺运行效果的主要影响因素及研究现状
DOI：10.16796/j.cnki.1000-3770.2022.03.003
发表时间：2022
2
基于腔内级联变频的0.63μm波段多波长激光器
基于腔内级联变频的0.63μm波段多波长激光器
DOI：10.3788/CJL201946.0801003
发表时间：2019
3
濒危植物海南龙血树种子休眠机理及其生态学意义
濒危植物海南龙血树种子休眠机理及其生态学意义
DOI：10.11931/guihaia.gxzw201701024
发表时间：2017
4
脉冲直流溅射Zr薄膜的微结构和应力研究
脉冲直流溅射Zr薄膜的微结构和应力研究
DOI：10.3788/AOS202141.1831001
发表时间：2021
5
c轴倾斜CuCr_(1-x)Mg_xO_2(x=0,0.02)薄膜的外延生长
c轴倾斜CuCr_(1-x)Mg_xO_2(x=0,0.02)薄膜的外延生长
DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2016.04.026
发表时间：2016
王万录的其他基金
批准号：69486001
批准年份：1994
资助金额：6.50
项目类别：专项基金项目
批准号：69776035
批准年份：1997
资助金额：13.00
项目类别：面上项目
相似国自然基金
1
负热膨胀薄膜的制备、形成机理和性能的研究
批准号：50372027
批准年份：2003
负责人：程晓农
学科分类：E0207
资助金额：24.00
项目类别：面上项目
2
电沉积Co基多元合金磁性薄膜的形成机理、结构及其性能研究
批准号：20571067
批准年份：2005
负责人：葛洪良
学科分类：B0307
资助金额：25.00
项目类别：面上项目
3
溶胶凝胶法制备两相复合渗流型高性能电介质薄膜及其形成机理研究
批准号：51172202
批准年份：2011
负责人：杜丕一
学科分类：E0206
资助金额：60.00
项目类别：面上项目
4
直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究
批准号：59471016
批准年份：1994
负责人：吴大兴
学科分类：E0107
资助金额：7.50
项目类别：面上项目