Cd2SnO4和CdIn2O4薄膜形成机理及其性能研究

基本信息
批准号:69076409
项目类别:面上项目
资助金额:4.30
负责人:王万录
学科分类:
依托单位:兰州大学
批准年份:1990
结题年份:1993
起止时间:1991-01-01 - 1993-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:蒋生蕊,李莉,高锦英,李成贤,查立群
关键词:
形成机理光学性质薄膜半导体
结项摘要

该项目利用射频反应溅射法制备出了高质量的Cd2SnO4和CdIn2O4薄膜材料.氧浓度为6%时,衬底温度400℃下制备的Cd2SnO4薄膜的最大光透射率为95%,电阻率1.74×10(-6)n-m.氧浓度为10%,衬底温度425℃时沉积的CdIn2O4薄膜的最大光透射率为90%,电阻率5.12×10(-6)n-m.对这两种薄膜材料的晶体及电子结构,生长条件,缺陷态等及光学和电学性质进行了系统的研究,研究表明,氧空位对其光电性质起了决定性的作用,因此严格控制薄膜中的氧空位浓度是提高质量的一个重要途径.Cd2SnO4和CdIn2O4薄膜是一种宽带隙高简并化氧化物n型半导体薄膜材料.由于它具有优异光学和电学性质,广泛应用于光电子器件及透明电极,热镜和航天器的热控涂层.因此对它的研究有重要的科学意义和实际应用价值.

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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