氮化镓半导休整扩展缺陷的电子性质理论研究
基本信息
批准号：50072035
项目类别：面上项目
资助金额：16.00
负责人：王绍青
学科分类：
依托单位：中国科学院金属研究所
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：程大勇,杨锐,卜寿亮
关键词：
扩展缺陷光发射光电半导体
结项摘要
建立大晶格弛豫条件下强离子性共价键六角氮化镓晶体的原子间相互作用势。采用分子静力学、分子动力学方法模拟计算获得六角GaN薄膜和GaN/(Al、In)GaN量子阱多层膜中扩展缺陷与界面的正确原子构型。采用密度泛函和半经验量子力学计算研究扩展缺陷对电子能态的影响。研究扩展缺陷引起的应变场的光电性质。揭示扩展缺陷对光发射的影响机理。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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