本项目将基于CMOS工艺平台,针对存储电路应用要求以及闪存存储器件在继续缩小过程中面临的诸多挑战,考虑SOC集成的最大可能性,设计并研制出工艺兼容性良好的新结构单栅和双栅的浮栅和SONOS闪存单元,分析器件的编程/擦除/保持/疲劳等特性及相关微观机制,研究可融合闪存/逻辑存储的工艺,在存储应用方面发挥先进工艺技术的优势,适应不同的闪存存储技术代的要求,为实现集成逻辑、存储功能应用的新一代系统芯片奠定器件基础和工艺基础。
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数据更新时间:2023-05-31
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