高Tc稀磁半导体氧化物纳米线的研究

稀磁半导体（DMS）在磁电子器件中具有广泛的应用前景。ZnO、SnO2等宽隙稀磁半导体由于具有很高的Tc转变温度而受到重视。然而，稀磁半导体的亚稳性生长特性限制了这类材料的合成，特别是一维结构的合成，常规的基于热平衡过程的纳米线生长方法难以合成这类一维材料。本课题提出了一种制备稀磁半导体一维纳米结构的新思路：以稀磁半导体量子点为组装单元，采用反微乳-水热-外场（电场、磁场）诱导组装的合成路线，自组装形成单晶DMS纳米线。为解决量子点表面上存在的大量的杂质离子对一维组装的影响等问题，我们采用壳层未掺入杂质的芯壳量子点作为组装单元，提出了一种新颖的磁量子线组装结构：磁量子点由非磁的同质壳层交互外延地连接起来，组成组分有序并可调制的DMS纳米线。在此基础上，对获得的DMS纳米线的微结构、物理性质进行系统研究，揭示微结构与性质之间的内在关联，为高Tc稀磁半导体的应用提供了基础。