Ⅳ族支撑团簇及其构成薄膜的结构和光电性质

首次用蒸发和惰性气体冷凝法制得直径约4纳米的Si团簇，嵌入多孔硅基体中，形成准自由团簇。激光拉曼谱发现，除了多孔硅的主峰外，首次观察到几个宽度很窄的低频峰，分别为27、37和195厘米。它们分别对应于球形自由硅团簇表面振动模SA（O）、SA（2）以及表面模与TA模的组合TA（L）+SA（1）。这些峰在多孔硅、单晶硅和非晶硅中均未出现过。成功地制备了Ge团簇构成致密的纳米膜，首次观察到大的带隙兰移（2.00eV）以及发射强的光致兰光和紫光。其多峰结构，除了Ge团簇芯中激子的量子约束效应外，在表面和界面的缺陷中心（Ge2O）存在单态和三态的辐射跃迁。为直接利用Ge团簇制备光电组合器件提供了可能的途径。