1)研究纯PI薄膜和无机纳米掺杂PI薄膜在直流、交流及脉冲等试验条件下介电特性和击穿特性及规律,研究升压条件和方式对介电特性和击穿特性的影响;2)观察纯PI薄膜和无机纳米掺杂PI薄膜击穿区域表面形貌和化学元素分布及远离击穿区域形貌和微观结构并进行表征;3)研究无机纳米颗粒在击穿过程所起的作用及击穿通道形成的微观结构演化过程;4)利用Material Studio软件模拟计算两种薄膜体系的电子结构、成键状态及能量分布,建立模拟结果与宏观击穿特性内在关系,确定无机纳米杂化PI薄膜击穿机理。.目前无机纳米颗粒杂化聚酰亚胺纳米复合薄膜耐电晕特性已成为纳米电介质材料研究的重点,但是纳米颗粒在外电场中如何阻止击穿通道的形成和发展,人们还不清楚。因此,观察微观结构的演化过程,确定电荷发射区域,探讨击穿现象表征方法及击穿机理等一些基础问题具有非常重要的理论意义和实际应用前景。
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数据更新时间:2023-05-31
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