用MEMS技术制造硅磁敏三极管模型与特性研究
基本信息
批准号：60076027
项目类别：面上项目
资助金额：18.00
负责人：温殿忠
学科分类：
依托单位：黑龙江大学
批准年份：2000
结题年份：2004
起止时间：2001-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：孙普男,邱成军,范茂军,高志强,李国栋,柏晓辉,穆长生
关键词：
MEMS技术特性研究硅磁敏三极管
结项摘要
本项目主要研究采用MEMS技术与介质隔离反外延法在硅表面制造具有矩形板状结构的立体硅磁敏三极管模型及其电磁特性研究。用该方法制造的硅平面磁敏三极管具有体积小、噪声低、灵敏度高、能与IC工艺技术相兼容、便于集成化的特点，为弱小磁场的测量提供了一种新型磁电转换器件。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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