模拟四氢叶酸辅酶的一碳单元转移反应

建立并完善了TRR实验装置,并与计算机联机，使TRR系统能方便、连续高效工作。第一次观察到在注入离子作用下发生低温固相外延生长（SPEG）现象。使一般在525℃固相外延生长降低至430℃。研究结果指出发生这种低温固相外延生长主要原因是杂质镍在单晶硅和无定形硅中扩散系数相差极大，大量镍在界面聚集而开成镍硅化物（NiSi2）。这种硅化物颗粒使界面向表面推移，致使发生固相外延生长。这种低温固相外延生长现象有可能指导制备超浅P-n结。铅和铋注入研究结果表明，因600℃退火时，杂质形成双峰，内部的峰成为基体的内含物，而外部峰表示部分铅完全推向样品表面。对内部铅的进一步研究发现，它已形成基体的内含物，其取向与基体一致。