P型ZnO薄膜的MOCVD生长及其发光二极管的研究
基本信息
批准号：60177007
项目类别：面上项目
资助金额：20.00
负责人：姜秀英
学科分类：
依托单位：吉林大学
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王新强,王金忠,马艳,柳丹,闫玮,杨天鹏,刘自强
关键词：
化学气相沉积金属有机物氧化锌
结项摘要
ZnO是一种重要的宽直接带隙半导体材料，能带间隙及晶格常数与GaN非常接近，但其某些光机电特征明显优于GaN而日益引起关注。通常生长的ZnO材料呈n型，p型薄膜制取及p-n结的纬沙晌兄频缱⑷隯nO光电器件的关键。我们采用MOCVD方法，通过独特的掺杂工艺，实现妥鑠型ZnO，并研制出相应的发光二极管原型器件。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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