半绝缘砷化镓和其它Ⅲ-Ⅴ族材料中杂质缺陷的红外研究

基本信息
批准号:69376005
项目类别:面上项目
资助金额:7.00
负责人:宋春英
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:1993
结题年份:1995
起止时间:1994-01-01 - 1995-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王永鸿,马碧春,王富咸,李锋
关键词:
半绝缘砷化镓局域振动模吸收氧缺陷
结项摘要

成功地建立了高温致畸动物模型,该动物模型的死亡率低、致畸率高、重复性好且操作简便。在此动物模型上,用光镜、电镜、免疫组化、免疫电镜和细胞凋亡检测技术,研究了高温致畸中LN、FN、FGF、NGF及其受体的异常改变以及细胞增殖和凋亡的变化;用胚胎细胞体外培养方法研究了外源性FGF和NGF的抗高温至畸作用;用相应抗体消除内源性NGF或其受体的方法进一步研究了NGF及其受体在高温致畸中的作用。结果显示:高浊可隆低LN、FN、FGF、NGF及其受体的表达水平,可干扰胚胎细胞的增殖和凋亡过程,引起胚胎细胞分化发育的异常, 这是高温致畸的重要机制。外源性NGF和FGF可促进胚胎细胞的生长发育,并具有明显的抗高温致畸的作用。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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