高介电常数HfSixOyNz薄膜材料制备及氮元素作用机制研究

基本信息
批准号:50402026
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:25.00
负责人:宋朝瑞
学科分类:
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份:2004
结题年份:2007
起止时间:2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:俞跃辉,邢玉梅,李文钧,郑志宏
关键词:
栅介质高介电常数HfSixOyNz薄膜离子束增强沉积
结项摘要

在Si衬底上制备高质量高介电常数HfSixOyNz系列介质薄膜材料;系统研究成膜条件(薄膜沉积参数及后处理条件等)与所制备薄膜的微观结构特征(薄膜的组分、缺陷、厚度等)之间的关系,重点分析薄膜形成规律,调节各种制备参数,结合计算机模拟,找出薄膜制备的最优化条件,以达到精确控制薄膜微观结构的目的;研究不同组分铪基薄膜微观结构对其电学性能的影响情况,探讨各元素的作用,尤其是氮元素对改善铪基薄膜结晶倾向的作用和机理,分析氮元素对薄膜电学性能的影响原因及机制;深入探讨新型高介电常数铪基薄膜的抗漏电等性能优良的机理,为进一步开展高介电常数介质材料在未来微电子领域中的应用奠定实验和理论基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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