适于32纳米及以下集成电路技术节点的新型源漏结构GOI器件的研究

Ge基器件是近年来的研究热点之一。GOI器件可有效解决体Ge器件中漏电大的问题，但其薄体结构会引入较大的寄生电阻，导致器件性能退化。为了提高器件的电流驱动能力并降低泄漏电流，本项目对新型源漏结构GOI器件进行研究，探讨杂质分凝技术对Ge基肖特基势垒的调控作用，实现肖特基势垒的可控调节，进而开发并研制出性能优良的、肖特基势垒较低的新型NiGe肖特基源漏GOI器件。本研究成果将为亚32nm集成电路技术代新器件的研究提供新的思路。