高纯YBCO单晶生长和临界电流尖峰效应的深入研究

基本信息
批准号:10174056
项目类别:面上项目
资助金额:20.00
负责人:石兢
学科分类:
依托单位:武汉大学
批准年份:2001
结题年份:2004
起止时间:2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:熊锐,刘海林,夏海波,汤五丰,寇庆红,宋华清,李慧
关键词:
超导电性临界电流尖峰效应晶体生长
结项摘要

(1)利用Ba Zr O3坩锅生长出高纯YBCO高温超导单晶体。这是进一步推动高温超导机理研康墓丶曰」ぷ鳌#?)超导临界电流尖峰效应细致、深入的实验考察。包括记忆、历史等亚稳态效应,尖峰效应区域内复杂的物理现象,以及温度相关和磁场相关尖峰效应的对比研究等。为最终澄清尖峰效应的机理提供启示,丰富人们对临界电流及磁通涡旋态性质的认识

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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