纳米场效应晶体管栅极材料的探索-Al、N共掺杂Y2O3超薄膜的制备和物性研究

以纳米场效应晶体管栅极材料为导向，发展PECVD和磁控溅射相结合的技术，制备Al、N共掺杂的Y2O3超薄膜。实现掺杂量和膜厚的控制，研究不同掺杂量和膜厚对超薄膜热稳定性、漏电流和介电常数的影响规律，确定抑制Y2O3超薄膜由非晶态到晶态的转变的掺杂量，找出该薄膜结构热稳定性的最佳条件，确定有实用价值的Al、N共掺Y2O3超薄膜的最佳工艺参数，以满足纳米场效应管栅极的需求。本项目在技术上的特色是提出了两种共掺杂的路线：一是磁控溅射技术，二是PECVD技术。这种"双保险"的技术路线可以相互比较，利于从中选优。等离子体增强技术的应用，还可以得到普通CVD难以实现的共掺杂的氧化物薄膜。为下一代纳米场效应管栅极的设计作铺垫的工作，提供满足纳米场效应管需求的超薄膜栅极材料。