新型材料Al-C-N 薄膜的制备与结构物性表征

基本信息
批准号:10404034
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:30.00
负责人:刘澂
学科分类:
依托单位:中国科学院物理研究所
批准年份:2004
结题年份:2007
起止时间:2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:施洪钧,俞祥,马利波,张强,黄娆,纪爱玲
关键词:
晶体学参数结构相图AlCN新型薄膜生长机理物性研究
结项摘要

AlCN是唯一含金属元素的轻元素共价键化合物,它是性质比较特殊的宽带半导体和绝缘陶瓷材料,其原子结构和电子结构有很大的可供裁减的空间,且它较易金属化。因此作为半导体材料、介电材料和光电子材料将有广泛的应用前景。关于它的研究,国际上才刚刚起步。我们拟采用离子束辅助沉积、等离子体辅助沉积等方法生长一系列不同组分和微结构的AlCN薄膜,研究AlCN硬质薄膜的微观结构及生长特性,建立Al-C-N系统的相图;研究离子束辅助生长AlCN各种结构相的机理,探索不同相择优生长的条件;研究AlCN薄膜微观结构和组分对薄膜物理性能的影响;探索金属-AlCN异质结的物理性质;获得Al(CN)3 和其它相的多晶薄膜,测定其晶体学参数;测定不同材料相的力学、光学和电学等方面的性质。这些方面的研究将为Al-C-N系材料的应用提供实验依据。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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