层状半导体结构中自旋极化隧穿的动力学研究

基本信息
批准号:10847005
项目类别:专项基金项目
资助金额:10.00
负责人:宫箭
学科分类:
依托单位:内蒙古大学
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:崔鑫,赵增茹,屈媛,武维,那顺乌日图
关键词:
动力学隧穿半导体结构自旋
结项摘要

低维半导体结构是纳米结构研究领域的前沿,是目前构筑量子器件,光电器件的基础。本项目拟研究电子在低维半导体结构中电子输运现象,讨论电子和自旋隧穿的动力学问题。详细讨论低维半导体结构中的带间跃迁和光吸收问题。全面分析Rashba和Dresshaus自旋轨道耦合在自旋电子隧穿中的影响。讨论电子态,自旋态在半导体结构中随时间的演化形式,得到自旋电子输运时间演化特性。详细研究外加驱动场对电子态和自旋态输运的调控作用,研究电子态和自旋态在结构中的捕获和延迟问题。对低维结构中电子态和自旋态瞬态动力学的研究有助于理解电子态和自旋态在输运过程随时间的演化形态,为近一步实现量子调控奠定基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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