液晶单体构筑高迁移率新型金属共轭聚合物场效应晶体管材料的合成与性能研究

聚合物场效应管材料具有成本低、重量轻、制作工艺简单、可制备成柔性大面积器件等优点和在智能卡、电子商标、电子纸、存储器、传感器和数字逻辑电路和有源矩阵显示器等领域有潜在的应用而倍受重视。目前，聚合物场效应晶体管存在的主要问题是场效应迁移率和开关比有待进一步提高，它直接关系到场效应晶体管的开关速度和稳定性。本项目研究拟设计、合成一些列高迁移率和高开关比的有机薄膜场效应晶体管材料，开展在主链引入液晶单体和金属及在室温反应条件来合成高迁移率和高开关比、易纯化的聚合物场效应晶体管材料；通过改变单体的结构和改变聚合物主链上金属的种类和数量来合成p 型和p-n型双极性场效应晶体管材料；研究聚合物结构和性能的关系；最终获得合成空气稳定性好，高迁移率和高开关比的有机薄膜场效应晶体管最佳条件。争取在设计合成可溶液加工、空气中稳定、高迁移率的p型和 p-n型双极性聚合物场效应晶体管材料方面做出有创新性的工作。

聚合物场效应管材料具有成本低、重量轻、制作工艺简单、可制备成柔性大面积器件等优点和在智能卡、电子商标、电子纸、存储器、传感器和数字逻辑电路和有源矩阵显示器等领域有潜在的应用而倍受重视。目前，聚合物场效应晶体管存在的主要问题是场效应迁移率和开关比有待进一步提高，它直接关系到场效应晶体管的开关速度和稳定性。本项目研究设计、合成了一些列高迁移率和高开关比的有机薄膜场效应晶体管材料，在主链引入液晶单体和金属及在室温反应条件来合成高迁移率和开关比，易纯化、的聚合物场效应晶体管材料，通过改变单体的结构和改变聚合物主链上金属的种类和数量来合成p 型和p-n型双极性场效应晶体管材料；研究聚合物结构和性能的关系；最终获得合成空气稳定性好，高迁移率和开关比的有机薄膜场效应晶体管最佳条件。在设计合成可溶液加工、空气中稳定、高迁移率的p 型和p-n 型双极性聚合物场效应晶体管材料方面做出一些创新性的工作。我们按合同计划认真开展了研究工作，取得了预期的成果，并积极参加学术交流，及时在国际和国内学术会议向同行专家做口头报告和交流我们的研究成果; 前期研究结果分别已经在Macromol. Rapid. Commun., J. Mater. Chem. C, J Inorg Organomet Polym等期刊上发表，另有多篇论文待发表。