提出了几种新型结构的磁隧道结,包括双结,加非磁金属复盖层和/或调制层的单结,加或不加非磁金属覆盖层的全磁性单结(绝缘层是铁磁的),计算了它们的磁电阻(TMR)和层间交换耦合(IEC)与层厚,与磁构型,特别与偏压的关系。发现在双结中存在自旋极化电子的共振隧穿,从而克服了偏压导致的TMR恶化,并在一定电压下使TMR达到超过传统单结的值而高至90%;加覆盖层和/或调制层可最大限度地利用量子阱效应,使TMR达到200%的特高值;而全磁结的TMR亦出现有趣特点。此外,建立了IEC的严格近自由电子模型理论;通过计入磁化强度的温度特性,改善了对TMR和IEC温度关系的解释;建立了计入自旋倒反的TMR理论。
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数据更新时间:2023-05-31
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