直流等离子体反应沉积法合成氮碳纳米锥阵列及其场致发射特性研究

采用直流等离子体反应沉积法合成氮碳纳米锥阵列，并研究其场致电子发射特性。着重研究实验条件同合成的氮碳纳米锥的成份、晶格结构、化学键态、长度、直径、形状﹑密度和均匀度的关系及对场致电子发射特性的影响；研究氮碳纳米锥的选择性生长; 获得高氮含量、高C3N4相占比、高尖锐度、密度可控制、均匀的氮碳纳米锥阵列的生长条件；了解其生长机理；找出纳米锥阵列的各个参量影响场致电子发射性能的规律，提高其场致电子发射能力。氮碳纳米锥不仅具有较低的功函数、良好的导电性和高比表面积，还具备机械和化学稳定性好、结构形貌可设计性强和成本低廉等诸多优点，是制备高性能场致电子发射器件和显微镜探针的理想材料。本方法期望合成出适合应用的高氮含量﹑优微结构﹑高尖锐度﹑高场致电子发射性能的氮碳纳米锥及其阵列。本项目对开发高性能场致电子发射器件和显微镜探针新材料具有直接的促进作用，对纳米材料科学研究也具有重要的意义。