氮原子束辅助激光溅射合成ZnSe:N薄膜及其性质研究

通过不同波长激光溅射方法和氮掺杂方法（弧热氮原子束、超声速氮分子束和氮气环境）进行了ZnSe掺N薄膜的生长。对沉积的ZnSe：N薄膜的微结构、成份、电学和光学特性进行了分析。用弧热氮原子束和超声速氮原子束辅助脉冲激光溅射沉积方法生长出了单晶ZS：N薄膜。这在国内外还未见报道。分析结果表明：在Ga As(100)衬底上沉积的Zn Se：N薄膜由Z、S和N构成，平均粗糙度为1.2nm，呈完好的单晶形态。其中，N的浓度可方便地控制在10(18)-10(21)C(3)。10K时的P谱观察到同N掺杂有关的施主-受主对（DAP）PL复合峰，并有蓝移现象。直线飞行时间质谱和四极质谱分析表明激光烧蚀产物主要由Zn、Se和2Se构成，证实了Zn Se：N薄膜的二维生长模式。