强关联氧化物超导材料反常物理特性的理论研究

在t-J模型和费密子--自旋理论框架下，我们系统地研究了强关联氧化物材料反常的物理性质。在没有外加磁场的情况下，对于系统中电荷动力学的主要贡献是来自于空位子的散射，而对于系统中自旋动力学的主要贡献是来自于自旋子的散射，因而系统中有两个弛豫时间，空位子弛豫时间主要响应于系统的电荷动力学。而自旋子的弛豫时间主要响应于系统的自旋动力学。并且氧化物材料的线性电阻、普适局域自旋响应都是由于这类材料中共有的正方晶格结构的二氧化铜平面内电子的强关联效应而造成的。在低温和低掺杂情况下存在的赝能隙导致ab平面电阻由高温时与温度成线性关系转为低温时偏离线性关系，及c-轴电阻由高温时的金属型转变成为低温时的半导体型。