高质量InNSb长波红外探测材料的MBE生长及微观机制研究

最近研究表明稀氮III-V 族窄带半导体InNSb 可以形成新型长波红外探测材料（8-14 微米），但目前在材料制备和微观机制的研究方面还刚开始，材料的晶体质量不能满足器件的要求，材料的微观机制需要细致探索。本研究课题主要探索利用氮等离子体辅助分子束外延（MBE）技术在GaAs衬底上生长高质量稀氮InNSb薄膜和量子阱材料，使其达到8－１4 微米的长波红外波段。利用X射线近边吸收，红外荧光，红外调制光谱，及磁光光谱等方法对N 在该体系中的分布形式，成键特性及相关电子态结构进行细致的实验研究，揭示InNSb 薄膜的基本物理特性（如带隙，有效质量等），探索InNSb/InSb量子阱的光跃迁过程中N 的成键特征对能带结构的影响等。为进一步设计和制备InNSb 长波长红外探测器提供研究基础。