电泵浦激励垂直外腔面发射半导体激光器列阵

采用微曲面外腔镜阵列与有源InGaAs/GaAs量子阱部分垂直腔面发射半导体激光芯片组合形成谐振腔构成垂直外腔面发射半导体激光器列阵，有源区采用周期量子阱增益结构,器件在电流注入泵浦激励方式下工作，实现高功率、高光束质量的面发射激光输出；与此同时对器件的输出特性进行实验研究，并对列阵器件的腔内倍频进行研究探索。此列阵器件在结构设计上吸取了垂直腔面发射半导体激光器圆形光束，发散小以及易于平面二维列阵的特点，同时又具有固体激光器外腔镜对激光横模进行控制及易于腔内倍频等优点。本项研究既具有探索外腔镜阵列结构和面发射半导体激光相结合的理论意义，又具有在泵浦光纤放大器、光纤激光器等科研及民用等实际应用价值，与此同时，高功率、高光束质量的面发射半导体激光在激光医疗和激光空间通信等领域也有广泛的应用价值。