GaAs/Si衬底上激光器的研制及其特性
基本信息
批准号：68880709
项目类别：专项基金项目
资助金额：2.50
负责人：庄婉如
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：1988
结题年份：1991
起止时间：1989-01-01 - 1991-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：
关键词：
半导体光电集成
结项摘要
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
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数据更新时间：2023-05-31
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