GaAs/Si衬底上激光器的研制及其特性

基本信息
批准号:68880709
项目类别:专项基金项目
资助金额:2.50
负责人:庄婉如
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:1988
结题年份:1991
起止时间:1989-01-01 - 1991-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:
关键词:
半导体光电集成
结项摘要

项目摘要

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

暂无此项成果

数据更新时间:2023-05-31

其他相关文献

1

二维FM系统的同时故障检测与控制

二维FM系统的同时故障检测与控制

DOI:10.16383/j.aas.c180673
发表时间:2021
2

“阶跃式”滑坡突变预测与核心因子提取的平衡集成树模型

“阶跃式”滑坡突变预测与核心因子提取的平衡集成树模型

DOI:10.16031/j.cnki.issn.1003-8035.2019.05.04
发表时间:2019
3

清洁高效干法选煤研究进展与展望

清洁高效干法选煤研究进展与展望

DOI:
发表时间:2022
4

A Fast Algorithm for Computing Dominance Classes

A Fast Algorithm for Computing Dominance Classes

DOI:
发表时间:2016
5

多元铜基硫族半导体纳米晶的发光性能及其在电致发光器件中的应用进展

多元铜基硫族半导体纳米晶的发光性能及其在电致发光器件中的应用进展

DOI:10.1360/TB-2020-1633
发表时间:2021

庄婉如的其他基金

批准号:68676022
批准年份:1986
资助金额:4.00
项目类别:面上项目

相似国自然基金

1

Si衬底上低温外延GaAs—离子集团束技术研究

批准号:69176017
批准年份:1991
负责人:余怀之
学科分类:F0401
资助金额:4.00
项目类别:面上项目
2

在Si衬底上Ⅱ-Ⅵ族超晶格的MOCVD生长及其光学特性研究

批准号:69977019
批准年份:1999
负责人:范希武
学科分类:F0502
资助金额:13.00
项目类别:面上项目
3

Si衬底上InGaP/GaAs/Ge和InGaP/GaAs/SiSnGe/Ge多结太阳能电池材料生长与器件制备研究

批准号:61006046
批准年份:2010
负责人:方妍妍
学科分类:F0403
资助金额:21.00
项目类别:青年科学基金项目
4

GaP衬底上GaAs的分子束外延生长及性能研究

批准号:59072079
批准年份:1990
负责人:孔梅影
学科分类:E0207
资助金额:4.20
项目类别:面上项目