GaP衬底上GaAs的分子束外延生长及性能研究

基本信息
批准号:59072079
项目类别:面上项目
资助金额:4.20
负责人:孔梅影
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:1990
结题年份:1992
起止时间:1991-01-01 - 1992-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王春艳,廖其为,谢茂海,段维新,梁基本,黄运衡,曾一平
关键词:
GaAs/GaP异质结分子束外延
结项摘要

本项目重点研究存在模型不确定性时的预测控制鲁棒设计问题,取得了以下成果; 一是指出五种创新的鲁棒设计方法,它们是;(1)频域方法;(2)鲁棒控制结构方法;(3)定量和定性信息结合的组合预测控制方法;(4)自学习神经网络方法;(5)基于自组织模型逻辑网络预测模型的预测控制方法。二是针对实际背景的特点提出了一些实用算法。三是将部分理论研究成果成功地应用到了欧共体在江苏的能源示范项目中,取得了可观的经济效益。(该项目已通过省级验收,获得好评)。同时在研究方法上,提出了定量和定性相结合进行鲁棒预测控制器设计方法,为进一步的深入研究提供了新思路和新方向,以上这些成果,具有重要的理论意义和应用前景。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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