硅光电负阻器件的研究

基本信息
批准号:69477011
项目类别:面上项目
资助金额:10.00
负责人:郭维廉
学科分类:
依托单位:天津大学
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:郑云光,李树荣,陈弘达,李良全
关键词:
负阻器件光双稳态硅光电器件
结项摘要

本项目将三端负阻器件与硅光电器件相结合首次提出光电负阻器件的构想。并对这一类器件的构成、工作原理、分类、功能和应用进行了全面论述。在此基础上设计研制出PNEGIT、PLBT和PDVBAT三种硅光电负阻器件。经测试其主要光电负阻参数达到较高水平,为其进一步应用奠定了条件。同时完成了PLBT的PSPICE电路模拟,初步建立了PDUBAT的双客两区工作模型和PNEGIT器件物理模型。用已研制的器件通过实验发现此类器件具有光探测、光控电流开关、光控正弦波振荡、光控脉冲频率调制、光放大和光学双稳态等新的光电功能,并对这些功能进行了初步研究,为此类器件在自动控制、图象信息处理、光通讯和光计算等领域的开发应用打下有利的基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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