一、在国际上首次研制成功工作于1.3μm和1.55μm波段的五种硅基光电子器件,包括:反射型光波导开关,Mach-Zehnder型调制器,1×2多膜干涉型波分复用器。调制器与多量子阱探测器的单片集成,波长信号分离器与红外探测器的单片集成。器件的大多数性能都优于国外同类型的非硅基光电子器件。而能够容易地实现单片集成是其最大特点。二、首创了一种折涉率反转型的硅基光波导,可以用硅器件工艺来实现。三、首次用分子束外延和电化学腐蚀结合的方法,制备一种掺Er多孔硅/多孔硅/硅三层量子结构,既能实现高效率的注入和激发,又能有效抑制能量背转移退激发,在解决Er硅发光的温度淬灭问题上,开辟了新的途径。
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数据更新时间:2023-05-31
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