高赝能隙与高载流子浓度的近邻效应

基本信息
批准号:10874221
项目类别:面上项目
资助金额:40.00
负责人:张鹰子
学科分类:
依托单位:中国科学院物理研究所
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:贾顺连,黄伟文,祖敏,罗会仟,方磊,程鹏
关键词:
高温超导体超晶格载流子浓度赝能隙
结项摘要

高温超导体(HTSC)是在铜酸盐的母体上,通过改变空间层的电子价态,进而改变铜氧面上载流子浓度及其配对势而产生超导。当载流子浓度较低,样品是欠掺杂的,赝能隙较大,赝能隙启始温度T*较高;当载流子浓度较高,样品是过掺杂的,赝能隙消失或很小。欠掺杂与过掺杂超导体的共同性质是超导转变温度都比相应的最佳掺杂的超导体低。对于极度欠掺及过掺,样品根本不超导。国内外的大量实验证明:利用超晶格结构是有可能获得新的HTSC。根据空穴型(p型)掺杂的HTSC的赝能隙态是超导态的先驱的理论,我们认为:可以利用欠掺中的高赝能隙区的高T*及过掺中的高载流子浓度的特性进行近邻耦合,制备出相应的超晶格,其载流子在欠掺与过掺层相互扩散并达到相互平衡,产生新的费米能级及能带关系,可以使对应的超导性能获得突破,并且可能获得新的HTSC。本课题的研究是基于上述的物理思想展开及设计的。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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