非晶硅的光致退化机理及消除途径

本项研究首次给出了非晶硅网络结构光致变化的直接实验证据，从而为澄清非晶硅光致退化机制提供了重要依据，引起国际同行的关注，被邀请在MRS98大会上做特邀报告；首次提出在非晶与微晶的相变区域去寻求较稳定的非晶硅材料，并用“不间断生长/退火PECVD技术，切实实现了这一设想，改善了非晶硅薄膜和器件的稳定性。不仅光致亚稳缺陷有数量级上的降低，用以制备的单结太阳电池初始效率为8.5%时，光致退化幅度仅7%（一般20%）。这些研究工作在国内外同行中深受好评，在国际上被誉称为“北京小组”。这项研究工作，即“非晶硅的光致退化机理及其消除途径”获2000年，中国科学院自然科学二等奖。