非晶硅的光致亚稳变化效应的研究

提出并设计了差分红外光谱检测技术原理与方法，研究了不掺杂氢化非晶硅薄膜中Si-H键在光致退化中的微小变化，首次得到了光照后Si-H键数目增加的可靠的实验证据，提出了非晶硅结构变化的可能性；首次用电学方法测量了非晶硅低频介电常数的光致变化，给出了非晶硅网络结构光致变化的直接实验证据；特别设计 一种“差分电容膨胀计”方法来检测非晶硅薄膜厚度的光致变化，首次发现了非晶硅有光膨胀效应，证明了整个非晶硅网络结构在光照射下变得疏松不稳定，而光致稳变化（SWE）则是这种光激发的结构不稳定性的后续效应；用加温间歇光照处理方法和“不间断生长/退火”技术改进了非晶硅薄膜网络结构和稳定性。