大功率微波器件及3D芯片金刚石薄膜热沉应用基础研究
基本信息
批准号：60371006
项目类别：面上项目
资助金额：24.00
负责人：谢扩军
学科分类：
依托单位：电子科技大学
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：曾葆青,李承跃,殷时蓉,唐云峰,殷吉昊,王华东,陈安和
关键词：
CVD微波器件热沉芯片堆金刚石
结项摘要
随着电子器件的高密度化、大功率化、高速化等高功能化的发展，元件本身发热以及如何把产生的热量迅速向外发散等热的控制及构成材料的选择都将决定器件的性能。金刚石是所有物质中热传导率最高的，同时其绝缘性好、介电常数小，利用金刚石薄膜作为大功率微波器件和3D芯片的高温散热层（热沉）对缩小器件体积、提高器件功率、拓宽器件频带及提高芯片的运算速度具有非常重要的作用。.本项目拟采用微波等离子化学气相沉积高导热的金刚石基板、或Si/金刚石、Cu/金刚石和Mo/金刚石复合基板，研究将金刚石晶体膜应用于微波功率模块和3D芯片的优点、工作原理、结构设计、以及实现的可能性。研究CVD金刚石晶体膜热取代陶瓷基热沉后，对芯片性能的改善和对微波功率、频率、增益、电压驻波比、阻抗和衰减等特性的影响，研究CVD金刚石薄膜与各种衬底间的线膨胀系数失配的问题及3D芯片CVD金刚石薄膜热沉的静态、动态场分布的计算机模拟.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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