半导体自旋电子学中的主要物理问题的计算研究

硅是推动人类文明进步的现代计算机技术的核心，所以我们相信基于硅的半导体自旋电子学材料和器件在未来的核心电子技术和计算机技术中仍然会扮演关键角色，因此本项目拟在上一个项目研究半导体和与半导体相容的半金属(half-metallic)铁磁体的基础上，探索研究硅基半导体自旋电子学材料和器件的物理基础。我们将首先研究硅等重要半导体的表/界面物理和应变特性，探索掺铬氮化物半导体的高温铁磁性的形成机理；在此基础上，将探索具有高居里温度和高自旋极化率的硅基半导体自旋电子学材料，进而探索硅基半导体自旋电子学器件原理，研究和探索其中的主要物理现象和物理效应。申请人对半导体自旋电子学材料和器件的研究已有多年的积累，上一个基金委项目的圆满完成使我们获得了宝贵的经验，我们对国际上硅等半导体和初步的硅基半导体自旋电子学材料和器件的研究进展有着充分的了解，定能圆满完成项目研究任务，达到项目目标，做出实质贡献。