与半导体相容的半金属(half-metallic)铁磁体,其自旋可望在较高温度维持近似完全极化,电子平均自由程也可以足够长,被认为是未来纳米尺度上的自旋电子学器件的理想组件之一。本项目拟以第一原理研究为主,探索与半导体相容的半金属铁磁体,研究其表面和与适当半导体的界面、及其对电子自旋极化率与费米能级上态密度的影响,进而设计性能优越的纳米厚度的半导体/半金属铁磁体多层结构。研究这些特殊体系中结构缺陷
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数据更新时间:2023-05-31
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