弓型虫cDNA库构建的研究

用磁控溅射法制备出PT、P2T、BT铁电薄膜，并探索出最佳的成膜技术。首次用激光晶化技术在衬底为室温条件下，使非晶膜晶化为钙钛矿结构，为集成铁电学建立了一种新方法。还将激光技术用于薄膜退火，使微晶薄膜中的晶粒长大，达改善薄膜性能的目的。用内耗、喇曼谱，透射光谱和TEM等多种技术深入研究了薄膜的晶粒尺寸对其相变和畴结构的影响并用朗道理论解释了表面张应力对薄膜相变影响，此外，用TEM还发现膜的畴结构具有临界尺寸效应，在临界尺寸以上，膜中的晶粒处多畴状态，在临界尺寸以下，膜中的晶粒以单畴为主。在加应力的TEM实验中发现，单畴态的晶粒中，畴结构很稳定，从而解释了薄膜的临界尺寸上下，其矫视场和介电常数突变的起因。