纳米级异质均匀薄膜制备及表面原子迁移机理研究

自组装一套UHV系统（2×10（-9）Torr），实现原位条件下纳米级异质薄膜的制备及电迁移实验。用AFM、SAM线扫描和ADXPS技术对沉积在Si、SiO2、Si3N4基底上的Au、Ag单一薄膜和Au-Ag复膜在电场作用下的规律作了系统研究。获得如下重要结果：（1）发现衬底性质会改变Au，但不影响Ag迁移方向；（2）发现电场的连续作用，使Au、Ag原子聚集状态由连续岛状变到孤岛再变到连续均匀瓦楞结构及其扩散规律；（3）发现电场作用下，Au、Ag与SiO2和Si3N4衬底发生界面反应，生成的单质Si向最表层和晶界偏析。应用Sol-Gel法制备出均匀掺杂纳米级SnO2薄膜，用XAES等技术发现掺杂剂对费米能级和价电子状态密度的影响规律。上述结果有助于器件微型化开发研究已行后在国内外学术会议和期刊上发表了18篇论文。